对比图
型号 APT56F60L IXFQ50N60P3 APT56F60B2
描述 TO-264 N-CH 600V 60AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道FREDFET N-Channel FREDFET
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-3-3 TO-247-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 90 mΩ
耗散功率 1040000 mW 1040 W 1.04 kW
阈值电压 - - 2.5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
上升时间 75 ns 20 ns 75 ns
输入电容(Ciss) 11300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 11300pF @25V(Vds)
下降时间 60 ns 17 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 1040W (Tc) 1040W (Tc) 1040W (Tc)
极性 N-CH N-CH -
连续漏极电流(Ids) 60A 50A -
额定功率(Max) 1040 W - -
封装 TO-264-3 TO-3-3 TO-247-3
长度 - 15.8 mm -
宽度 - 4.9 mm -
高度 - 20.3 mm -
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅