R5016FNX和R6015FNX

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R5016FNX R6015FNX

描述 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1

漏源极电阻 0.22 Ω 0.27 Ω

极性 N N

耗散功率 50W (Tc) 50 W

漏源极电压(Vds) 500 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 16A 15A

上升时间 60 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds)

下降时间 35 ns 35 ns

耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended

包装方式 Bulk Bulk

最小包装 1000 1000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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