对比图
型号 STP20NE06L STP20NF06L NTD3055L104T4G
描述 N - CHANNEL 60V - 0.06欧姆 - 20A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS STP20NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 60 mohm, 10 V, 3 VON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 20.0 A 20.0 A 12.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 4
漏源极电阻 - 0.06 Ω 0.089 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 60 W 48 W
阈值电压 - 3 V 1.6 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 - ±18.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 10.0 A 12.0 A
上升时间 45 ns 30 ns 104 ns
输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 60 W 1.5 W
下降时间 25 ns 6 ns 40.5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 60000 mW 1.5 W
额定功率 70 W - -
输入电容 - 400 pF -
长度 10.4 mm 10.4 mm 6.73 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 6.22 mm
高度 9.15 mm 15.75 mm 2.38 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99