对比图
型号 IPI65R190CFDXKSA1 SPI20N60CFDHKSA1 SPI20N60CFD
描述 TO-262 N-CH 650V 17.5ATO-262 N-CH 600V 20.7A酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 151W (Tc) 208W (Tc) 208 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 17.5A 20.7A 20.7 A
输入电容(Ciss) 1850pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 151W (Tc) 208W (Tc) -
额定功率 151 W - -
上升时间 8.4 ns - 15 ns
下降时间 6.4 ns - 6.4 ns
漏源极电阻 - - 0.22 Ω
阈值电压 - - 4 V
额定功率(Max) - - 208 W
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3
长度 10.2 mm - 10.2 mm
宽度 4.5 mm - 4.5 mm
高度 9.45 mm - 9.45 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube, Rail Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17