对比图
型号 IRF640B PHP21N06T,127 APT5025BN
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETTO-220AB N-CH 55V 21ATO-247 N-CH 500V 23A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-247
极性 N-CH N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) 200 V 55 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 18A 21A 23A
上升时间 - 16 ns 27 ns
输入电容(Ciss) - 500pF @25V(Vds) 2380pF @25V(Vds)
下降时间 - 13 ns 36 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 69W (Tc) 310000 mW
耗散功率 - 69 W -
封装 TO-220 TO-220-3 TO-247
长度 - 10.3 mm -
宽度 - 4.7 mm -
高度 - 9.4 mm -
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 - Rail -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -