2N4238和JANTXV2N5796

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4238 JANTXV2N5796 2N3057A

描述 NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR双PNP硅晶体管 PNP DUAL SILICON TRANSISTOR低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-39 TO-78 TO-46-3

耗散功率 - - 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 50 @500mA, 10V

额定功率(Max) - - 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW - 500 mW

极性 - PNP -

集电极最大允许电流 - 0.6A -

封装 TO-39 TO-78 TO-46-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 - - EAR99

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