对比图
描述 BS107 系列 200 V 23 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET -TO-92Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3Pin TO-92 Ammo Pack晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Microchip (微芯)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 E-Line-3 TO-39-3
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 30.0 Ω 30.0 Ω 3 Ω
耗散功率 0.5 W 0.5 W 6.25 W
阈值电压 - - 2 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 60 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 60 V
输入电容(Ciss) - - 50pF @24V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 500mW (Ta) 6.25W (Tc)
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 120 mA 120 mA -
极性 N-Channel N-Channel -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 120 mA 120 mA -
上升时间 - 8 ns -
下降时间 - 8 ns -
额定功率(Max) 500 mW - -
封装 TO-92-3 E-Line-3 TO-39-3
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -