APT5017BVRG和STW26NM50

对比图

型号 APT5017BVRG STW26NM50 IXFH30N50P

描述 TO-247 N-CH 500V 30ASTMICROELECTRONICS  STW26NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH30N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 30.0 A 30.0 A 30.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.12 Ω 0.2 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 370 W 313 W 460 W

阈值电压 - 4 V 5 V

输入电容 5.28 nF - 4.15 nF

栅电荷 300 nC - 70.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - - 500 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A

上升时间 14 ns 15 ns 24 ns

反向恢复时间 - - 200 ns

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 313 W 460 W

下降时间 11 ns 19 ns 24 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 370000 mW 313W (Tc) 460W (Tc)

宽度 - - 5.3 mm

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -