对比图
型号 IRF6655TR1 IRF6655TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 100V 4.2AN沟道 100 V 2.2 W 8.7 nC 功率MOSFET 表面贴装- DIRECTFET
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 DirectFET-SH Direct-FET
额定功率 - 42 W
漏源极电阻 53.0 mΩ 0.053 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.2 W 2.2 W
阈值电压 - 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 19.0 A 4.2A
上升时间 2.8 ns 2.8 ns
输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 530pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.2 W
下降时间 4.3 ns 4.3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
漏源击穿电压 100V (min) -
封装 DirectFET-SH Direct-FET
长度 4.85 mm -
宽度 3.95 mm -
高度 0.7 mm -
材质 - Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free