对比图
描述 SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)NXP BSP220,115 晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -200 V, 10 ohm, -10 V, -2.8 VBSP220 P沟道MOS场效应管 -200V -225mA 10ohm SOT-223 marking/标记 BSP220 高速开关 无二次击穿
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223
引脚数 - 4 -
极性 - P-Channel P-CH
漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) - -225 mA 0.225A
针脚数 - 4 -
漏源极电阻 - 10 Ω -
耗散功率 - 1.5 W -
输入电容(Ciss) - 90pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 1.5 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 1.5W (Ta) -
封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223
长度 - 6.7 mm -
宽度 - 3.7 mm -
高度 - 1.7 mm -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Cut Tape (CT) -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -