TP2640N3-G和VP0550N3-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TP2640N3-G VP0550N3-G VN0550N3-G

描述 TO-92P-CH 400V 0.18ATO-92P-CH 500V 0.054ATrans MOSFET N-CH 500V 0.05A 3Pin TO-92

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

额定功率 1 W 1 W 1 W

极性 P-CH P-CH -

耗散功率 1 W 1 W 1 W

漏源极电压(Vds) 400 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 0.18A 0.054A -

上升时间 15 ns 8 ns -

输入电容(Ciss) 300 pF 70pF @25V(Vds) 55pF @25V(Vds)

下降时间 40 ns 5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Tc) 1W (Tc)

额定功率(Max) - - 1 W

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 125 Ω -

漏源击穿电压 - 500 V -

长度 5.21 mm 5.21 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Bulk Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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