对比图
型号 SI7540DP-T1-E3 SI7540DP-T1-GE3
描述 VISHAY SI7540DP-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 11.8 A, 12 V, 17 mohm, 4.5 V, 1.5 VVISHAY SI7540DP-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7.6 A, 12 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 1.5 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount -
引脚数 8 8
封装 SOIC PowerPAK SO
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.017 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 3.5 W 1.4 W
阈值电压 1.5 V 600 mV
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V
漏源击穿电压 12.0 V -
栅源击穿电压 ±8.00 V -
连续漏极电流(Ids) 11.8 A 7.60 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 1400 mW
封装 SOIC PowerPAK SO
高度 - 1.04 mm
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
工作温度 - -55℃ ~ 150℃