MBT3946DW1T1G和SMBT3904PN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBT3946DW1T1G SMBT3904PN MBT3946DW1T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MBT3946DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE, SOT-363NPN / PNP硅开关晶体管阵列低集电极 - 发射极饱和电压 NPN / PNP Silicon Switching Transistor Array Low collector-emitter saturation voltage双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-6 SOT-363 TSSOP-6

引脚数 6 - -

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 200 mA - 200 A

极性 NPN, PNP NPN+PNP NPN+PNP

漏源击穿电压 - - 40.0 V

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V - 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

额定功率(Max) 150 mW - 150 mW

频率 300 MHz - -

针脚数 6 - -

耗散功率 150 mW - -

直流电流增益(hFE) 300 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 150 mW - -

封装 SC-70-6 SOT-363 TSSOP-6

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - NLR

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