BC 846BW H6327和BC846BW,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC 846BW H6327 BC846BW,115 SBC846BWT1G

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORNXP  BC846BW,115  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFEON SEMICONDUCTOR  SBC846BWT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SC-70-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 200 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 200 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - 200 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW - 150 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SC-70-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99

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