对比图
型号 BF1211R BF1211,215 BF1211WR,115
描述 N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSSMOSFET 晶体管，NXP semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 - 4 4
封装 SC-61B TO-253-4 SOT-343-4
频率 - 400 MHz 400 MHz
额定电流 30.0 mA 30 mA 30 mA
耗散功率 180 mW 180 mW 180 mW
增益 - 29 dB 29 dB
测试电流 - 15 mA 15 mA
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 180 mW 180 mW 180 mW
额定电压 - 6 V 6 V
极性 - N-Channel -
漏源极电压(Vds) 6.00 V 6 V -
连续漏极电流(Ids) 30.0 mA 30.0 mA -
额定电压(DC) 6.00 V - -
漏源击穿电压 6 V - -
上升时间 15 ns - -
下降时间 27 ns - -
长度 3 mm 3 mm 2.2 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.35 mm
高度 1 mm 1 mm 1 mm
封装 SC-61B TO-253-4 SOT-343-4
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -