IRF540N和STP30NF10

对比图

型号 IRF540N STP30NF10 2SK3481-AZ

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3Pin (3+Tab) TO-220ABSTMICROELECTRONICS  STP30NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 100V 30A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 N沟道MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 - 115 W 1.5 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

上升时间 35.0 ns 40 ns 10 ns

输入电容(Ciss) - 1180pF @25V(Vds) 2300pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 115 W 1.5 W

下降时间 - 10 ns 5 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 115W (Tc) 1.5W (Ta), 56W (Tc)

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 27.0 A 35.0 A -

产品系列 IRF540N - -

连续漏极电流(Ids) 33.0 A 35.0 A -

额定功率 - 115 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.045 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 3 V -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -