MMBT3904WT1G和MMST3904-TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3904WT1G MMST3904-TP MMBT3904LT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904WT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 150 mW, 200 mA, 300 hFEMICRO COMMERCIAL COMPONENTS  MMST3904-TP  双极性晶体管, NPN, 40VDC, SOT-323ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SOT-23-3

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 8.60 A 200 mA 200 mA

额定功率 - - 0.3 W

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 150 mW 200 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 40 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 300 30 300

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) 150 mW 200 mW 300 mW

增益频宽积 300 MHz 300 MHz -

长度 2.2 mm 1.8 mm 2.9 mm

宽度 1.24 mm 1.35 mm 1.3 mm

高度 0.85 mm 1.2 mm 0.94 mm

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SOT-23-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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