对比图
型号 BSC059N03SG BSC080N03LSGATMA1 HAT2165H-EL-E
描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-TransistorINFINEON BSC080N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 5
封装 TDSON-8 PG-TDSON-8 SOT-669
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 - 35 W 30 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 73.0 A 14A 55A
上升时间 - 2.8 ns 65 ns
输入电容(Ciss) 2670pF @15V(Vds) 1300pF @15V(Vds) 5180pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 48 W - 30 W
下降时间 - 2.6 ns 9.5 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 35W (Tc) 30W (Tc)
额定功率 - 35 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 0.0067 Ω -
阈值电压 - 2.2 V -
漏源击穿电压 - 30 V -
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 17.5 A - -
输入电容 2.67 nF - -
栅电荷 21.0 nC - -
封装 TDSON-8 PG-TDSON-8 SOT-669
长度 - 5.9 mm -
宽度 - 5.15 mm -
高度 - 1.27 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99