IPP110N06LG和IPP80N06S2L-09

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP110N06LG IPP80N06S2L-09 AP9974GP

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorInfineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rds(on) MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能TO-220 N-CH 60V 72A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Advanced Power Electronics (富鼎先进电子)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 - 190 W -

漏源极电压(Vds) 60.0 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 78.0 A 80A 72A

上升时间 - 19 ns -

输入电容(Ciss) - 2620pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 190 W -

下降时间 - 18 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 190 W -

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 78.0 A - -

输入电容 2.70 nF - -

栅电荷 79.0 nC - -

长度 - 10 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 15.65 mm -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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