JANS2N2369A和JANTXV2N2369A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N2369A JANTXV2N2369A 2N2369A

描述 TO-18 NPN 15VJANTXV Series 15V 360mW Through Hole NPN Silicon Transistor - TO-206AA (TO-18)NPN双极型晶体管 NPN BIPOLAR TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-18 TO-18 TO-18

耗散功率 - 0.6 W 0.36 W

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @100mA, 1V 20 @100mA, 1V

额定功率(Max) - 360 mW 360 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 360 mW 360 mW 360 mW

极性 NPN - -

封装 TO-18 TO-18 TO-18

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bag Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台