BF422G和BF422ZL1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF422G BF422ZL1G BF422

描述 ON SEMICONDUCTOR  BF422G  双极性晶体管, NPN, 250V TO-92双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 250V NPNNPN硅晶体管高反向电压( NPN硅晶体管,高反压) NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage (NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 - -

封装 TO-226-3 TO-92-3 -

额定电压(DC) 250 V 250 V -

额定电流 50.0 mA 50.0 mA -

极性 NPN NPN -

耗散功率 830 mW 830 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V -

额定功率(Max) 830 mW 830 mW -

直流电流增益(hFE) 50 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 830 mW - -

封装 TO-226-3 TO-92-3 -

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - -

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