TLE2062ACDR和TLE2062AMDG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2062ACDR TLE2062AMDG4 AD8512ARZ

描述 神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS神剑JFET输入高输出驱动微功耗运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERSJFET 输入运算放大器Analog Devices JFET 输入运算放大器提供高输入阻抗和超低输入偏置电流。 许多这些 JFET 运算放大器适用于低噪声和高速应用。### 运算放大器,Analog Devices

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 625 µA 625 µA 2.2 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 65 dB 65 dB 86 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K -

带宽 1.80 MHz 1.80 MHz 8 MHz

转换速率 3.40 V/μs 3.40 V/μs 20.0 V/μs

增益频宽积 2 MHz 2 MHz 8 MHz

输入补偿电压 800 µV 800 µV 100 µV

输入偏置电流 4 pA 4 pA 25 pA

输出电流 ≤80 mA - -

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

增益带宽 2 MHz - 8 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB - 86 dB

电源电压(DC) - - 15.0 V

针脚数 - - 8

输入阻抗 - - 1.25 TΩ

电源电压(Max) - - 5 V

电源电压(Min) - - 15 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

军工级 - - No

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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