对比图
型号 IPB80N04S204ATMA1 STB150NF04 IPB80N04S204ATMA2
描述 D2PAK N-CH 40V 80AN沟道40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STripFET™II Power MOSFETN沟道 40V 80A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-263-3
耗散功率 300W (Tc) 300 W 300W (Tc)
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
上升时间 - 150 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 5300pF @25V(Vds) 3650pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 300 W
下降时间 - 45 ns 32 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
极性 N-CH - -
连续漏极电流(Ids) 80A - -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 7 mΩ -
漏源击穿电压 - 40 V -
封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 9.35 mm -
高度 - 4.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅