对比图
型号 IRF2807STRLPBF STB60NF06LT4 STB140NF75T4
描述 Trans MOSFET N-CH 75V 82A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 VSTB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAK
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 75.0 V 60.0 V 75.0 V
额定电流 82.0 A 60.0 A 120 A
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.016 Ω 0.0065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 230 W 110 W 310 W
阈值电压 - 1 V 4 V
漏源极电压(Vds) 75 V 60 V 75 V
漏源击穿电压 75.0 V 60 V 75.0 V
栅源击穿电压 - ±15.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 82.0 A 60.0 A 120 A
上升时间 64.0 ns 220 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 3820pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 230 W 110 W 310 W
下降时间 - 30 ns 90 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 310W (Tc)
产品系列 IRF2807S - -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99