对比图
描述 P沟道 30V 5.8AP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V
额定电流 -5.80 A -5.00 A
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W
产品系列 IRF7406 -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 -30.0 V 30.0 V
连续漏极电流(Ids) -5.80 A 5.00 A
上升时间 33 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 1100pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W
下降时间 47 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
漏源极电阻 - 0.045 Ω
阈值电压 - 1.6 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V
耗散功率(Max) - 2500 mW
封装 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 - 1.25 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)