IRFZ46NSPBF和IRFZ46NSTRLPBF

对比图

型号 IRFZ46NSPBF IRFZ46NSTRLPBF IRFZ46NS

描述 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 55V 53A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 3 -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 3.8W (Ta), 107W (Tc) 3.8 W 3.8W (Ta), 107W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 53A 53A 53A

输入电容(Ciss) 1696pF @25V(Vds) 1696pF @25V(Vds) 1696pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 107W (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0165 Ω -

阈值电压 - 4 V -

上升时间 76 ns 76 ns -

额定功率(Max) - 3.8 W -

下降时间 57 ns 57 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.54 mm -

宽度 - 4.69 mm -

高度 - 10.48 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free