对比图
描述 NTE ELECTRONICS 2N2925 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50V, 360mW, 100mA, 400 hFE一瓦达林顿晶体管PNP硅 One Watt Darlington Transistors PNP Silicon达林顿晶体管（ PNP硅） Darlington Transistors(PNP Silicon)
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 3 3 3
封装 TO-226 TO-226-3 TO-92
安装方式 - Through Hole -
极性 NPN Dual P-Channel -
耗散功率 360 mW 1000 mW 625 mW
直流电流增益(hFE) 400 - -
工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定电压(DC) - -30.0 V -
额定电流 - -500 mA -
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -
集电极最大允许电流 - 0.5A -
最小电流放大倍数(hFE) - 10000 @100mA, 5V -
额定功率(Max) - 1 W -
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
增益带宽 - 125MHz (Min) -
耗散功率(Max) - 1000 mW 625 mW
封装 TO-226 TO-226-3 TO-92
高度 - 5.33 mm -
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 - Box Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 - - EAR99