对比图
型号 IRG4RC10UPBF IRG4RC10UTRPBF
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAKIGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
耗散功率 38 W 38 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
额定功率(Max) 38 W 38 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 38000 mW 38000 mW
长度 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free PB free