STP14NM65N和STW14NM65N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP14NM65N STW14NM65N STB11NM65N

描述 N沟道650 V, 0.33 Ω , 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK , TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247N沟道650 V, 0.33 Ω , 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK , TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247D2PAK N-CH 650V 12A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-247-3 D2PAK

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 125 W 125 W -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A - 12A

上升时间 13 ns - -

输入电容(Ciss) 1300pF @50V(Vds) 1300pF @50V(Vds) -

额定功率(Max) 125 W 125 W -

下降时间 20 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) -

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 9.15 mm - -

封装 TO-220-3 TO-247-3 D2PAK

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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