对比图
型号 STI200N6F3 STI76NF75 STU5N95K3
描述 I2PAK N-CH 60V 120AI2PAK N-CH 75V 80ASTMICROELECTRONICS STU5N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-251-3
引脚数 - 3 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 330W (Tc) 300 W 90 W
漏源极电压(Vds) 60 V 75 V 950 V
连续漏极电流(Ids) 120A 80A -
输入电容(Ciss) 6265pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 330W (Tc) 300W (Tc) 90W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 3 Ω
阈值电压 - - 4 V
漏源击穿电压 - - 950 V
上升时间 - 100 ns 7 ns
下降时间 - 30 ns 18 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-251-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 2.4 mm
高度 - - 6.9 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99