BF2030和BF904R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF2030 BF904R BF904,215

描述 BF2030 N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-143 marking/标记 NE 低噪声增益控制放大器/VHF和UHF应用BF904R N沟道MOSFET 7V 30mA SOT-143 marking/标记 M06 低的RDSMOSFET 晶体管,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-143-4 SOT-143 TO-253-4

引脚数 - - 4

封装 SOT-143-4 SOT-143 TO-253-4

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

频率 800 MHz - 200 MHz

额定电流 40 mA - 30 mA

增益 23 dB - -

测试电流 10 mA - 10 mA

额定电压 8 V - 7 V

针脚数 - - 4

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 200 mW

漏源极电压(Vds) - - 7 V

连续漏极电流(Ids) - - 30.0 mA

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 200 mW

ECCN代码 - - EAR99

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