对比图
型号 JAN2N2432 JANTXV2N2432 2N2432
描述 TO-18 NPN 30V 0.1ATO-18 NPN 30V 0.1ANPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-18 TO-18 TO-206
极性 NPN NPN -
耗散功率 0.3 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -
最小电流放大倍数(hFE) 80 @1mA, 5V - 80 @1mA, 5V
额定功率(Max) 360 mW - 300 mW
工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 300 mW - 300 mW
封装 TO-18 TO-18 TO-206
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) - -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bag - Bag
RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead -