PDTB113EK和PDTB113ET

对比图

型号 PDTB113EK PDTB113ET PDTB113ES

描述 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsPNP 晶体管，NXP### 数字晶体管，NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon,

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类 晶体管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 MPAK TO-236 -

极性 PNP PNP, P-Channel -

耗散功率 - 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 500mA 500mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 33 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 MPAK TO-236 -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -