BD682和TIP32C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD682 TIP32C BD682T

描述 BD6xxx 系列 PNP 80 V 4 A 互补功率达林顿晶体管 - SOT-32STMICROELECTRONICS  TIP32C  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 40 W, -3 A, 50 hFE塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-126-3

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 -4.00 A -3.00 A -4.00 A

额定功率 40 W - -

针脚数 3 3 -

耗散功率 40 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 10 @3A, 4V 750 @1.5A, 3V

额定功率(Max) 40 W 2 W 40 W

直流电流增益(hFE) 750 50 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 2000 mW -

极性 - NPN, PNP, P-Channel PNP

集电极最大允许电流 - - 4A

长度 7.8 mm 10.4 mm 7.74 mm

宽度 2.7 mm 4.6 mm 2.66 mm

高度 10.8 mm 9.15 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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