FQU3N40和IRFU310BTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQU3N40 IRFU310BTU FQU3N40TU

描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETN沟道 400V 1.7AN沟道 400V 2A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 TO-251 TO-220-3 TO-251-3

额定电压(DC) - - 400 V

额定电流 - - 2.00 A

漏源极电阻 - 2.70 Ω 3.40 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 2.5W (Ta), 30W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 400 V 400 V

漏源击穿电压 - 20.0 V 400 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 1.70 A 2.00 A

输入电容(Ciss) - - 230pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.5 W

耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta), 30W (Tc)

上升时间 - 25 ns -

下降时间 - 25 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-251 TO-220-3 TO-251-3

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 16.3 mm -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台