IRFZ48NPBF和STP60NF06

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ48NPBF STP60NF06 IRFZ48PBF

描述 55V,64A,14mΩ,N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 130 W 110 W 190 W

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 64.0 A 60.0 A 50.0 A

上升时间 78.0 ns 108 ns 250 ns

输入电容(Ciss) 1970pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

下降时间 - 20 ns 250 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 190 W

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 64.0 A 60.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 14 mΩ 0.016 Ω -

阈值电压 - 2 V -

漏源击穿电压 55 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

额定功率(Max) 130 W 110 W -

产品系列 IRFZ48N - -

输入电容 1970pF @25V - -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.51 mm

宽度 - 4.6 mm 4.65 mm

高度 16.51 mm 9.15 mm 15.49 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司