对比图
型号 FDB33N25TM STB22NS25ZT4 STB50NF25
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB33N25TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 250 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB22NS25ZT4 MOSFET Transistor, N Channel, 11A, 250V, 130mohm, 10V, 3VSTMICROELECTRONICS STB50NF25 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 250 V, 55 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 250 V -
额定电流 - 22.0 A -
漏源极电阻 0.077 Ω 0.13 Ω 55 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 235 W 135 W 160 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
漏源击穿电压 250 V 250 V 250 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 33A 11.0 A 22.0 A
上升时间 230 ns 30 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 2135pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2670pF @25V(Vds)
下降时间 120 ns 78 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 235W (Tc) 135W (Tc) 160W (Tc)
通道数 1 - 1
针脚数 3 - 3
额定功率(Max) 235 W - 160 W
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm - 10.4 mm
宽度 11.33 mm - 9.35 mm
高度 4.83 mm - 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -