对比图
型号 STW20NK50Z STW20NM60FD IRFP450B
描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
额定电压(DC) 500 V 600 V -
额定电流 17.0 A 20.0 A -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.23 Ω 0.26 Ω 310 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 214 W 205 W
阈值电压 3.75 V 4 V -
输入电容 2600 pF 1.30 nF -
栅电荷 - 37.0 nC -
漏源极电压(Vds) 500 V 600 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 600 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 20.0 A 14.0 A
上升时间 20 ns 12 ns 130 ns
输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 3800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 214 W -
下降时间 15 ns 22 ns 125 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 214W (Tc) 205W (Tc)
额定功率 190 W - -
通道数 1 - 1
长度 15.75 mm 15.75 mm 16.2 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 5 mm
高度 20.15 mm 20.15 mm 20.1 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR