对比图
型号 IRF820B STP5NK50Z IRF820APBF
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH?MOSFET功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 4.40 A -
额定功率 - 70 W -
漏源极电阻 210 mΩ 1.22 Ω 3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 49 W 70 W 50 W
阈值电压 - 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 2.50 A 4.40 A 2.50 A
上升时间 30 ns 10 ns 12 ns
输入电容(Ciss) - 535pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 70 W 50 W
下降时间 35 ns 15 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 50 W
针脚数 - - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.67 mm - 10.41 mm
宽度 4.7 mm - 4.7 mm
高度 16.3 mm - 9.01 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -