对比图
型号 SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-13L-E3 SUD50P04-13L-GE3
描述 VISHAY SUD50P04-08-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 6.7 mohm, -10 V, -1 VVISHAY SUD50P04-13L-E3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, -50A, TO-252-3VISHAY SUD50P04-13L-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -60A, -40V, 3W
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 TO-252 TO-252
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0067 Ω 0.0105 Ω 0.0105 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 73.5 W 93.7 mW 3 W
连续漏极电流(Ids) - 48.0 A 11.0 A, 60.0 A, -60.0 A
上升时间 12 ns 10 ns -
下降时间 18 ns 20 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 73.5 W 93.7 W -
漏源极电压(Vds) - - 30.0 V, -40.0 V
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.38 mm 2.38 mm -
封装 TO-252 TO-252 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -