MUN2230T1和MUN2230T1G

对比图

型号 MUN2230T1 MUN2230T1G DTD113E

描述 NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorsNPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-59-3 SOT-23-3 SMT-3

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

耗散功率 230 mW 0.338 W -

最小电流放大倍数(hFE) 3 3 @5mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) 3 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

无卤素状态 - Halogen Free -

额定功率(Max) - 338 mW -

耗散功率(Max) - 338 mW -

封装 SC-59-3 SOT-23-3 SMT-3

长度 2.9 mm - -

宽度 1.5 mm - -

高度 1.09 mm - -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -