BUZ325和IRFP350PBF

对比图

型号 BUZ325 IRFP350PBF BUZ323

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3Pin(3+Tab) TO-247ACSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-218 TO-247-3 -

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V -

连续漏极电流(Ids) 12.5A - -

耗散功率 - 190 W -

上升时间 - 49 ns -

输入电容(Ciss) - 2600pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 190 W -

下降时间 - 47 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 190W (Tc) -

封装 TO-218 TO-247-3 -

长度 - 15.87 mm -

宽度 - 5.31 mm -

高度 - 20.82 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -