CSD17483F4和CSD17483F4R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17483F4 CSD17483F4R CSD17483F4T

描述 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD17483F430 -V , N通道NexFET功率MOSFET 30-V, N-Channel NexFET Power MOSFETTEXAS INSTRUMENTS  CSD17483F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 30 V, 0.185 ohm, 8 V, 850 mV

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR PICOSTAR-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 1.5A 1.5A 1.5A

漏源极电阻 0.185 Ω - 0.185 Ω

耗散功率 500 mW - 500 mW

阈值电压 850 mV - 850 mV

上升时间 1.3 ns - 1.3 ns

输入电容(Ciss) 145pF @15V(Vds) - 145pF @15V(Vds)

下降时间 3.4 ns - 3.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR PICOSTAR-3

长度 1.04 mm - 1.04 mm

宽度 0.64 mm - 0.64 mm

高度 0.35 mm - 0.35 mm

产品生命周期 正在供货 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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