对比图
型号 CPH3351-TL-H SQ2361EES-T1-GE3 CPH3351-TL-W
描述 1.8A,-60V,P沟道MOSFETMOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10VCPH3351-TL-W 编带
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 0.115 Ω 0.19 Ω
极性 P-CH - P-Channel
耗散功率 1W (Ta) 2W (Tc) 1 W
阈值电压 - 2.5 V 2.6 V
输入电容 - - 262 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 1.8A - 1.8A
上升时间 5.4 ns - 5.4 ns
输入电容(Ciss) 262pF @20V(Vds) 545pF @30V(Vds) 262pF @20V(Vds)
下降时间 19 ns - 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1W (Ta) 2W (Tc) 1W (Ta)
无卤素状态 Halogen Free - -
额定功率(Max) 1 W - -
通道数 - 1 -
长度 2.9 mm - 2.9 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
宽度 1.6 mm - -
高度 0.9 mm - -
材质 Silicon - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free