CA5260M和TLV272ID

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CA5260M TLV272ID TLC2262IDG4

描述 3MHz的,采用BiMOS微处理器与MOSFET的输入运算放大器/ CMOS输出 3MHz, BiMOS Microprocessor Operational Amplifiers with MOSFET Input/CMOS OutputTEXAS INSTRUMENTS  TLV272ID  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TLC2262IDG4  运算放大器, 双路, 820 kHz, 2个放大器, 0.55 V/µs, ± 2.2V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 16.0 V 16.0 V

输出电流 - 7mA @5V ≤50 mA

供电电流 9 mA 625 µA 425 µA

电路数 2 2 2

通道数 - 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 0.396 W 725 mW

共模抑制比 - 65 dB 70 dB

输入补偿漂移 - 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 3.00 MHz 3 MHz 820 kHz

转换速率 5.00 V/μs 2.10 V/μs 550 mV/μs

增益频宽积 3 MHz 3 MHz 0.82 MHz

过温保护 - No No

输入补偿电压 6 mV 500 µV 300 µV

输入偏置电流 5 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 3 MHz 0.82 MHz

耗散功率(Max) - 396 mW 725 mW

共模抑制比(Min) - 65 dB 70 dB

电源电压 - 2.7V ~ 16V -

电源电压(Max) - 16 V 16 V

电源电压(Min) - 2.7 V 4.4 V

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Each Each

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

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