PMBT2907A,215和BSR16,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMBT2907A,215 BSR16,215 MMBT2907ALT1G

描述 NXP  PMBT2907A,215  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 100 hFENXP  BSR16,215  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 75 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT2907ALT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 200 MHz 200 MHz 200 MHz

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 250 mW 250 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 100 75 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW 300 mW

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -600 mA

额定功率 - - 300 mW

输入电容 - - 30 pF

上升时间 - - 40 ns

下降时间 - - 30 ns

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

高度 - - 0.94 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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