BSC026N02KSG和BSC100N06LS3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC026N02KSG BSC100N06LS3G BSC028N06LS3G

描述 20V,100A,N沟道功率MOSFETOptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor60V,100A,N沟道功率MOSFET,带逻辑电平

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerTDFN-8 TDSON PG-TDSON-8

额定功率 - - 139 W

通道数 - - 1

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta), 139W (Tc)

耗散功率 78.0 W 2.5 W -

漏源极电压(Vds) - 60 V -

宽度 - - 6.1 mm

封装 PowerTDFN-8 TDSON PG-TDSON-8

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台