FDD6670AL和FDD6670AL_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD6670AL FDD6670AL_NL

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道 30V 84A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 DPAK

额定电压(DC) 30.0 V -

额定电流 84.0 A -

漏源极电阻 8.00 mΩ -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 83W (Ta) -

输入电容 3.84 nF -

栅电荷 37.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 84.0 A 84A

上升时间 13.0 ns -

输入电容(Ciss) 3845pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 1.6 W -

耗散功率(Max) 83W (Ta) -

封装 TO-252-3 DPAK

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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