1N4106和JANS1N4106-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4106 JANS1N4106-1 1N4106-1

描述 SILICON ZENER DIODE LOW NOISE 6.8V THRU 100V 0.25W(1/4W), 5% TOLERANCE硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODESDiode Zener Single 12V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 - 2 2

耗散功率 250 mW 0.5 W 500 mW

稳压值 12 V 12 V 12 V

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

测试电流 - 0.25 mA 0.25 mA

正向电压(Max) - 1.1 V -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Box Tray Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台