对比图
型号 AUIRF2903ZS IRF2903ZSPBF AUIRF2903ZL
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF2903ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 30 V, 0.0019 ohm, 10 V, 4 VINFINEON AUIRF2903ZL 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 30 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3
漏源极电阻 0.0019 Ω 0.0019 Ω 0.0019 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 231 W 231 W 231 W
阈值电压 2 V 4 V 2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 235A 235A 235A
上升时间 100 ns 100 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 6320pF @25V(Vds) 6320pF @25V(Vds) 6320pF @25V(Vds)
下降时间 37 ns 37 ns 37 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 231W (Tc) 231W (Tc) 231W (Tc)
额定功率 - 290 W 231 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源击穿电压 - 30 V 30 V
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.2 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 4.5 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 9.45 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -